В Інституті надтвердих матеріалів ім. В.Н. Бакуля НАН України розроблено принципово нову конструкцію широкосмугових датчиків акустичної емісії з робочою смугою частот від 200 кГц до 1200 кГц.

Особливістю датчиків є демпфірування тильного боку п’єзопластин – чутливого елемента датчика акустичної емісії новим демпфуючим матеріалом, що складається з частинок карбіду вольфраму, скріплених епоксидною смолою з затверджувачем.

Для збільшення демпфіруючої здатності матеріалу демпфера до його складу було введено нікелід титану. Цей матеріал має ефект пам’яті форми при кімнатній температурі і в процесі проходження через нього хвиль напружень зазнає мартенситне перетворення з поглинанням енергії. За рахунок цього вдалося збільшити демпфіруючі властивості демпфера в 1,5-2 рази і зменшити нерівномірність його амплітудно-частотної характеристики з 23 дБ до 15 дБ.

1.    Патент № 3804 Україна, МКІ G 01/N 29/04. П’єзоелектричний перетворювач/ Л.М. Девін, А.Г. Найденко, Т.В. Німченко. Заявл. 12.01.2007; Опубл. 11.06.2007, Бюл. №8
2. Патент  № 26259 Україна, MKI G 01/N 29/04. Матеріал для демпфера ультразвукового перетворювача сигналів/ Девін Л.М., Недосєка А.Я., Стахнів М.Є., Яременко М.А., Німченко Т.В., бюл. №14, 10.09.2007 р.